【海外】Enphase Energy・Infineon：900V GaN双方向スイッチを実証、AIデータセンター向け半導体変圧器に採用へ

米Enphase Energyと独Infineon Technologiesは、AIデータセンター向け固体変圧器（SST）に使用する900ボルト（V）の窒化ガリウム（GaN）双方向スイッチ素子を発表した。Enphaseが開発する「IQ Solid-State Transformer」の電力変換モジュールへの組み込みを進める。Infineonの「CoolGaN」技術を利用し、従来の650Vから900Vへ対応電圧を引き上げながら、高周波スイッチング特性を維持する。両社は同種の900V素子として世界初と説明している。

900Vへの高電圧化により、中電圧入力を処理する変換器の直列接続数や部品点数を削減し、電力損失、装置サイズ、重量、コストを抑える設計を可能にする。直流800Vの電源バスや将来的な1,500V直流構成にも展開を見込む。商業用太陽光インバーターへの応用も想定している。素子は試験を完了し、現在はIQ SSTの開発機に組み込む段階で、量産に向けた認定は今後実施する予定。

【出典】
▷Enphase Energy and Infineon Announce World’s First 900 V GaN Bidirectional Switch Devices for AI Data Center Solid-State Transformers
※本記事は一次情報をもとに生成AIを活用した要約です。詳細は公表資料をご確認ください。
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